IBMとSamsung、垂直トランジスタ設計によるブレイクスルーを発表 「スマホの充電は週1に」
米IBMは12月14日（現地時間）、韓国Samsung Electronicsと協力し、半導体設計の飛躍的進歩を実現したと発表した。
「Vertical-Transport Nanosheet Field Effect Transistor」（VTFET）と呼ぶ新たな設計アプローチで、2021年には崩れると見られていたムーアの法則を今後何年にもわたって維持できるようになる可能性があるとしている。https://www.itmedia.co.jp/news/articles/2112/16/news071.html
- VTFETは、ウェハの表面にトランジスタを重ねるfinFETなどと異なり、トランジスタをウェハに垂直に層状に重ね、電流をウェハ表面に垂直に流す設計。
この構造で、トランジスタのゲート長、スペーサーの厚さ、接点サイズの物理的制約を緩和できるとしている。FinFET設計と比較して、「パフォーマンスを2倍向上させ、エネルギー使用量を85％削減する」という。
同社はVTFETを紹介する動画で、例えばスマートフォンのバッテリーは1回の充電で1週間以上もつようになり、宇宙船や自動運転自動車、海洋ブイなどのIoTデバイスもこの設計の恩恵を受ける可能性があると語った。実用化はまだ数年先になりそうだが、IBMは5月には、2nmのノードチップ設計を発表している。
- >>3が解りやすいな
FinFETはゲート(青)が3面に接していたけど
VtFETは4面に接しているから性能が高くなる
いろんな会社や組織が研究開発していたけどサムソンもお披露目できるようになったというだけ - これ半分革命だろ
- ちょっと縦になるわの発想？
- はよ実用化しろ
- 結局ムーアの法則は終わらないんやな
- >>7
日本では終わったぞ - まずスマートウォッチに搭載してくれ
- これからは積層化の時代なんだわ
- >>9
その分高度な処理させるぞ - ジャッ
- マリオワールド→マリオ64 レベルの革命だろこれ
- そんなに変わるのか
- 僕のおちんちんもハングアップです！
- 半導体が薄くなっただけやろ。
- ロジックも3Dになるの？
- 図みても全然わからん！
- 火事が増えそう
- メタル層の上にトランジスタを作るってこと？
今のウエハ単位での積層が一気にオワコンになるな。 - IBM→父さん
サムスン→兄さん俺たちジャップは劣等だ…
- EV車に応用出来たりしないのかな？
- >>22
パワー半導体とは全然別でしょ - あららら
昔はこういう基礎技術日本が強かったのにね - 将来CPUは球形になるのか
- よくわからんから製品化してからニュースにしてくれ
- 2mm!?
- 省電力やばすぎだろ
EUみたいな環境意識高いとこはそのうちサムスンのプロセス以外の半導体の製造に罰金をかす可能性高いよ
日本おわったわ - >>29
現行の爆熱プロセスと比べてこれくらい減りますとか希望的観測書いてあるだけなんだけどな - 何層にも積み重ねて単位面積当たりの集積を上げても、ひとつの面の集積が同じなら、積み重ねた分のかけ算になってしまうと思うんだけどなぁ
- 嘘松
- 電子ペーパーに採用してくれ 一年持つだろ
- 漏れ電流が減るとかそういう話？
- NTTも何かやってたけど先越されたのか
- 圧倒的に電力食うのはディスプレイやろ
そこ以外減らしても
それほど効果無いやろ - だからこそ働き方改革を急いで進めるべきなんだよ
維新は正社員制度・終身雇用制を完全に廃止しろ
日本の足をひっぱる老害制度をぶっつぶせ
実質的に与党の権限を獲得したんだから、自民党にガンガン働きかけていけ
未来ある日本を取り戻せ
垂直トランジスタによるブレイクスルーでスマホの充電が週1に、IBMとサムスンが発表
嫌儲
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